[2004년 1회차 80번] 트랜지스터의 제조에서 에피텍셜 층(e...
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1. 베이스 전극을 만들기 위해서
2. 베이스 영역을 좁게 만들기 위해서
3. 낮은 저항의 이미터 영역을 만들기 위해서
4. 낮은 저항의 기판에 같은 도전성 형태를 가진 높은 저항의 컬렉터 영역을 만들기 위해서
정답: 4
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