[2004년 2회차 80번] Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 ...

(80번) Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유의 설명으로 가장 옳은 것은?

1. Ge의 에너지갭이 Si의 에너지갭보다 좁기 때문에
2. Si의 에너지갭이 Ge의 에너지갭보다 좁기 때문에
3. Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문에
4. Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문에

정답: 1

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