[2020년 3회차 52번] IGBT(Insulated Gate ...
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1. MOSFET와 같이 전압제어 소자이다.
2. GTO 사이리스터와 같이 역방향 전압저지 특성을 갖는다.
3. 게이트와 에미터 사이의 입력 임피던스가 매우 낮아 BJT 보다 구동하기 쉽다.
4. BJT처럼 on-drop 이 전류에 관계없이 낮고 거의 일정하며, MOSFET보다 훨씬 큰 전류를 흘릴 수 있다.
정답: 3
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